Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGC037S12S1XTMA1
IGC037S12S1XTMA1

IGC037S12S1XTMA1 Infineon Technologies

Infineon_IGC037S12S1_DataSheet_v01_01_EN-3572890.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.83 грн
10+216.06 грн
100+151.92 грн
500+135.04 грн
1000+115.96 грн
2500+112.29 грн
5000+111.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC037S12S1XTMA1 Infineon Technologies

GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm.