Продукція > INFINEON > IGC037S12S1XTMA1
IGC037S12S1XTMA1

IGC037S12S1XTMA1 INFINEON


Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+205.70 грн
500+160.35 грн
1000+126.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC037S12S1XTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 10nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: CoolGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IGC037S12S1XTMA1 за ціною від 114.70 грн до 359.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGC037S12S1_DataSheet_v01_01_EN-3572890.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.09 грн
10+222.16 грн
100+156.20 грн
500+138.85 грн
1000+119.23 грн
2500+115.45 грн
5000+114.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034 Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.77 грн
10+258.19 грн
100+205.70 грн
500+160.35 грн
1000+126.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.