Продукція > INFINEON > IGC037S12S1XTMA1
IGC037S12S1XTMA1

IGC037S12S1XTMA1 INFINEON

Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+171.86 грн
500+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGC037S12S1XTMA1 INFINEON

Description: GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±6.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V.

Інші пропозиції IGC037S12S1XTMA1 за ціною від 94.45 грн до 364.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 INFINEON Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034 Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+312.47 грн
10+222.84 грн
100+171.86 грн
500+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 Infineon Technologies Infineon_IGC037S12S1_DataSheet_v01_01_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+321.52 грн
10+205.07 грн
100+129.69 грн
500+110.66 грн
2500+103.61 грн
5000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 IGC037S12S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc037s12s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.75 грн
10+231.66 грн
100+163.54 грн
500+126.19 грн
1000+117.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 Infineon-IGC037S12S1-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc7b327034
IGC037S12S1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 3700 µohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+312.47 грн
10+222.84 грн
100+171.86 грн
500+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 Infineon_IGC037S12S1_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IGC037S12S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+321.52 грн
10+205.07 грн
100+129.69 грн
500+110.66 грн
2500+103.61 грн
5000+94.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC037S12S1XTMA1 infineon-igc037s12s1-datasheet-en.pdf
IGC037S12S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 120V 19A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+364.75 грн
10+231.66 грн
100+163.54 грн
500+126.19 грн
1000+117.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.