IGC037S12S1XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10nC
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 205.78 грн |
| 500+ | 160.42 грн |
| 1000+ | 126.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGC037S12S1XTMA1 INFINEON
Description: MV GAN DISCRETES, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: 6-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA, Supplier Device Package: PG-TSON-6-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +5.5V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V.
Інші пропозиції IGC037S12S1XTMA1 за ціною від 101.16 грн до 359.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGC037S12S1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MV GAN DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +5.5V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V |
на замовлення 3220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGC037S12S1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 120 V G3 in PQFN 3x5, 2.7 mohm |
на замовлення 9321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGC037S12S1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGC037S12S1XTMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 10nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGC037S12S1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MV GAN DISCRETES Packaging: Tube Package / Case: 6-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 18A, 5V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 7mA Supplier Device Package: PG-TSON-6-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +5.5V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 60 V |
товару немає в наявності |