Технічний опис IGD01N120H2BUMA1 Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R.
Інші пропозиції IGD01N120H2BUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies |
 Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 535 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IGD01N120H2BUMA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGD01N120H2BUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3.2A I
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 535 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGD01N120H2BUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGD01N120H2BUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.