Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGD06N60TATMA1
IGD06N60TATMA1

IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies

1621866021332542infineon-igd06n60t-ds-v02_02-en.pdffileiddb3a3043341f67a101344624.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP™, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IGD06N60TATMA1 за ціною від 24.97 грн до 75.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004165858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+49.13 грн
500+ 40.4 грн
1000+ 28.05 грн
5000+ 27.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGD06N60T_DS_v02_02_EN-1731501.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 1509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.92 грн
10+ 52.59 грн
100+ 39.46 грн
500+ 32.11 грн
1000+ 26.5 грн
2500+ 24.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0004165858-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGD06N60TATMA1 - IGBT, 12 A, 1.5 V, 88 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP™
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 12A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 13654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+75.64 грн
12+ 63.96 грн
100+ 49.13 грн
500+ 40.4 грн
1000+ 28.05 грн
5000+ 27.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGD06N60TATMA1 Виробник : Infineon INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C   IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 136ns
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
товар відсутній
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Виробник : Infineon Technologies INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/130ns
Switching Energy: 200µJ
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 42 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 88 W
товар відсутній
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004165858-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 15ns
Turn-off time: 136ns
товар відсутній