Продукція > INFINEON > IGD15N65T6ARMA1
IGD15N65T6ARMA1

IGD15N65T6ARMA1 INFINEON


3180283.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 2436 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+61.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGD15N65T6ARMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: 100W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 30A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A.

Інші пропозиції IGD15N65T6ARMA1 за ціною від 61.56 грн до 160.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGD15N65T6ARMA1 IGD15N65T6ARMA1 Виробник : INFINEON 3180283.pdf Description: INFINEON - IGD15N65T6ARMA1 - IGBT, 30 A, 1.5 V, 100 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.04 грн
10+ 86.66 грн
100+ 61.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
IGD15N65T6ARMA1 IGD15N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGD15N65T6_DataSheet_v02_03_EN-2898625.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.38 грн
10+ 123.3 грн
100+ 88.57 грн
250+ 83.91 грн
500+ 74.58 грн
1000+ 65.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1 IGD15N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGD15N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c35b2760de1 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.64 грн
10+ 128.68 грн
100+ 102.44 грн
500+ 81.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igd15n65t6-datasheet-v02_03-en.pdf SP004275482
товар відсутній
IGD15N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igd15n65t6-datasheet-v02_03-en.pdf IGBT6 Trench and Field-stop Technology
товар відсутній
IGD15N65T6ARMA1 IGD15N65T6ARMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGD15N65T6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c35b2760de1 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 11.5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/117ns
Switching Energy: 230µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 11.5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 57.5 A
Power - Max: 100 W
товар відсутній