IGD70R200D2SAUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 163.88 грн |
| 10+ | 100.87 грн |
| 50+ | 76.43 грн |
| 100+ | 64.33 грн |
| 500+ | 51.36 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGD70R200D2SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.3nC, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IGD70R200D2SAUMA1 за ціною від 40.53 грн до 177.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGD70R200D2SAUMA1 | Infineon Technologies |
 GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 |
на замовлення 2182 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGD70R200D2SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.3nC Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGD70R200D2SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 2182 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.01 грн |
| 10+ | 85.13 грн |
| 100+ | 66.18 грн |
| 500+ | 52.85 грн |
| 1000+ | 51.38 грн |
| 2500+ | 43.83 грн |
| 5000+ | 40.53 грн |
| IGD70R200D2SAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.3nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGD70R200D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.24 ohm, 1.3 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.3nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)