IGD70R270D2SAUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.63 грн |
| 10+ | 86.87 грн |
| 100+ | 58.73 грн |
| 500+ | 43.79 грн |
| 1000+ | 40.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGD70R270D2SAUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1nC, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IGD70R270D2SAUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGD70R270D2SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1nC Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IGD70R270D2SAUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 |
на замовлення 2087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGD70R270D2SAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGD70R270D2SAUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 2087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)