Продукція > INFINEON > IGD70R270D2SAUMA1
IGD70R270D2SAUMA1

IGD70R270D2SAUMA1 INFINEON

infineon-igd70r270d2s-datasheet-en.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.73 грн
10+91.92 грн
100+66.62 грн
500+53.25 грн
1000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGD70R270D2SAUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGD70R270D2SAUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 5.8 A, 0.33 ohm, 1 nC, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1nC, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGD70R270D2SAUMA1 за ціною від 33.19 грн до 144.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGD70R270D2SAUMA1 IGD70R270D2SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon_igd70r270d2s_datasheet_en.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.35 грн
10+89.80 грн
100+54.11 грн
500+45.88 грн
1000+38.35 грн
2500+34.30 грн
5000+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1 IGD70R270D2SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igd70r270d2s-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.33 грн
10+88.53 грн
100+59.85 грн
500+44.62 грн
1000+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1 IGD70R270D2SAUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igd70r270d2s-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.