IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.14 грн |
| 10+ | 369.88 грн |
| 100+ | 270.67 грн |
| 500+ | 249.92 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.
Інші пропозиції IGI60L1414B1MXUMA1 за ціною від 218.47 грн до 614.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IGI60L1414B1MXUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| IGI60L1414B1MXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 614.86 грн |
| 10+ | 410.96 грн |
| 100+ | 262.01 грн |
| 500+ | 257.50 грн |
| 1000+ | 236.48 грн |
| 3000+ | 218.47 грн |




