Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGI60L1414B1MXUMA1
IGI60L1414B1MXUMA1

IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies

infineon_igi60l1414b1m_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+534.25 грн
10+357.08 грн
100+227.66 грн
500+223.75 грн
1000+205.48 грн
3000+189.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies

GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.

Інші пропозиції IGI60L1414B1MXUMA1 за ціною від 244.00 грн до 552.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGI60L1414B1MXUMA1 IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies infineon-igi60l1414b1m-datasheet-en.pdf Description: IC DRVR HALF BR PG-TFLGA-27-2
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+552.71 грн
10+361.11 грн
100+264.25 грн
500+244.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGI60L1414B1MXUMA1 infineon-igi60l1414b1m-datasheet-en.pdf
IGI60L1414B1MXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DRVR HALF BR PG-TFLGA-27-2
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+552.71 грн
10+361.11 грн
100+264.25 грн
500+244.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.