IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 560.43 грн |
| 10+ | 366.15 грн |
| 100+ | 267.94 грн |
| 500+ | 247.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.
Інші пропозиції IGI60L1414B1MXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGI60L1414B1MXUMA1 | Infineon Technologies |
 GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGI60L1414B1MXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)