IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 525.12 грн |
| 10+ | 375.51 грн |
| 25+ | 305.13 грн |
| 100+ | 260.26 грн |
| 250+ | 254.74 грн |
| 500+ | 229.88 грн |
| 1000+ | 227.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGI60L1414B1MXUMA1 Infineon Technologies
GaN FETs 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.
Інші пропозиції IGI60L1414B1MXUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGI60L1414B1MXUMA1 | Infineon Technologies |
Driver 0.7A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGI60L1414B1MXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Driver 0.7A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R
Driver 0.7A 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.