IGI60L2727B1MXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 322.98 грн |
| 10+ | 242.57 грн |
| 25+ | 194.27 грн |
| 100+ | 176.23 грн |
| 250+ | 167.21 грн |
| 500+ | 162.36 грн |
| 1000+ | 157.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGI60L2727B1MXUMA1 Infineon Technologies
Gate Drivers 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.