IGI60L2727B1MXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesGate Drivers 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 324.56 грн |
| 10+ | 243.75 грн |
| 25+ | 195.23 грн |
| 100+ | 177.10 грн |
| 250+ | 168.03 грн |
| 500+ | 163.15 грн |
| 1000+ | 158.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGI60L2727B1MXUMA1 Infineon Technologies
Gate Drivers 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode.