IGK048B041SXTSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 175.17 грн |
| 10+ | 83.92 грн |
| 100+ | 65.24 грн |
| 500+ | 51.80 грн |
| 1000+ | 50.90 грн |
| 2000+ | 48.35 грн |
| 4000+ | 43.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGK048B041SXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGK048B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 53 A, 9.1 nC, UFWLB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 53A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 9.1nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: UFWLB, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolGaN BDS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Інші пропозиції IGK048B041SXTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGK048B041SXTSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IGK048B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 53 A, 9.1 nC, UFWLB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 53A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 9.1nC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: UFWLB Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolGaN BDS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: - |
на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGK048B041SXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGK048B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 53 A, 9.1 nC, UFWLB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9.1nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UFWLB
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN BDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Description: INFINEON - IGK048B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 53 A, 9.1 nC, UFWLB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 9.1nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UFWLB
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN BDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
на замовлення 3960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)