IGK120B041SXTSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.10 грн |
| 10+ | 52.53 грн |
| 50+ | 38.93 грн |
| 100+ | 32.41 грн |
| 500+ | 25.14 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGK120B041SXTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGK120B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 30 A, 4.4 nC, UFWLB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: -, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 4.4nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: UFWLB, Anzahl der Pins: 12Pin(s), Produktpalette: CoolGaN BDS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Інші пропозиції IGK120B041SXTSA1 за ціною від 18.84 грн до 94.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGK120B041SXTSA1 | Infineon Technologies |
 GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch |
на замовлення 3161 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGK120B041SXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGK120B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 30 A, 4.4 nC, UFWLB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 4.4nC SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: UFWLB Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: CoolGaN BDS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: - |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGK120B041SXTSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch
GaN FETs CoolGaN Bidirectional Switch
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.59 грн |
| 10+ | 43.25 грн |
| 100+ | 33.33 грн |
| 500+ | 25.90 грн |
| 1000+ | 25.53 грн |
| 2000+ | 23.80 грн |
| 4000+ | 18.84 грн |
| IGK120B041SXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGK120B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 30 A, 4.4 nC, UFWLB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.4nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UFWLB
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN BDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Description: INFINEON - IGK120B041SXTSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 30 A, 4.4 nC, UFWLB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 4.4nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: UFWLB
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN BDS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)