IGL65R055D2XUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 435.19 грн |
| 10+ | 328.75 грн |
| 100+ | 231.48 грн |
| 500+ | 205.68 грн |
| 1000+ | 199.41 грн |
| 3000+ | 168.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGL65R055D2XUMA1 Infineon Technologies
Description: IGL65R055D2XUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Power Dissipation (Max): 111W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGL65R055D2XUMA1 за ціною від 210.11 грн до 443.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGL65R055D2XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGL65R055D2XUMA1Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V |
на замовлення 2753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IGL65R055D2XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGL65R055D2XUMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Power Dissipation (Max): 111W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |