Продукція > INFINEON > IGL65R080D2XUMA1
IGL65R080D2XUMA1

IGL65R080D2XUMA1 INFINEON

Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+194.88 грн
500+167.98 грн
1000+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGL65R080D2XUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.3nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGL65R080D2XUMA1 за ціною від 131.80 грн до 416.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 Infineon Technologies 448_IGL65R080D2.pdf Description: IGL65R080D2XUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.06 грн
10+240.90 грн
100+172.70 грн
500+157.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 INFINEON Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479 Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.24 грн
10+272.18 грн
100+194.88 грн
500+167.98 грн
1000+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 Infineon Technologies Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R080D2_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.90 грн
10+274.78 грн
100+171.27 грн
500+155.06 грн
1000+149.42 грн
3000+131.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 448_IGL65R080D2.pdf
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R080D2XUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+375.06 грн
10+240.90 грн
100+172.70 грн
500+157.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+392.24 грн
10+272.18 грн
100+194.88 грн
500+167.98 грн
1000+152.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R080D2_1_0.pdf
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+416.90 грн
10+274.78 грн
100+171.27 грн
500+155.06 грн
1000+149.42 грн
3000+131.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.