Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGL65R080D2XUMA1
IGL65R080D2XUMA1

IGL65R080D2XUMA1 Infineon Technologies

448_IGL65R080D2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R080D2XUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.08 грн
10+233.86 грн
100+167.65 грн
500+152.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGL65R080D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 3.3nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції IGL65R080D2XUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 INFINEON 448_IGL65R080D2.pdf Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 Infineon Technologies Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R080D2_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 448_IGL65R080D2.pdf
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R080D2_1_0.pdf
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.