Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGL65R110D2XUMA1
IGL65R110D2XUMA1

IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies

448_IGL65R110D2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R110D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.59 грн
10+193.28 грн
100+139.77 грн
500+117.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: IGL65R110D2XUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Power Dissipation (Max): 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGL65R110D2XUMA1 за ціною від 101.91 грн до 325.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R110D2_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.86 грн
10+214.43 грн
100+143.43 грн
500+120.78 грн
3000+101.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_IGL65R110D2.pdf Description: IGL65R110D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.