IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 16A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 315.39 грн |
| 10+ | 200.47 грн |
| 50+ | 155.95 грн |
| 100+ | 132.91 грн |
| 500+ | 113.82 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.
Інші пропозиції IGL65R110D2XUMA1 за ціною від 93.28 грн до 335.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGL65R110D2XUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGL65R110D2XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 2.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 2818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IGL65R110D2XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGL65R110D2XUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 335.62 грн |
| 10+ | 218.30 грн |
| 100+ | 138.29 грн |
| 500+ | 114.16 грн |
| 1000+ | 106.33 грн |
| 3000+ | 98.50 грн |
| 6000+ | 93.28 грн |
| IGL65R110D2XUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGL65R110D2XUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)