Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGL65R110D2XUMA1
IGL65R110D2XUMA1

IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies

448_IGL65R110D2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R110D2XUMA1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.68 грн
10+183.83 грн
100+132.93 грн
500+111.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

Інші пропозиції IGL65R110D2XUMA1 за ціною від 93.20 грн до 322.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 INFINEON 448_IGL65R110D2.pdf Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.27 грн
10+205.38 грн
100+145.78 грн
500+119.66 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R110D2_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.16 грн
10+209.59 грн
100+129.09 грн
500+110.45 грн
3000+93.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 448_IGL65R110D2.pdf
IGL65R110D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R110D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 16 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+309.27 грн
10+205.38 грн
100+145.78 грн
500+119.66 грн
1000+108.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R110D2_1_0.pdf
IGL65R110D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.16 грн
10+209.59 грн
100+129.09 грн
500+110.45 грн
3000+93.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.