IGL65R140D2XUMA1 Infineon Technologies


448_IGL65R140D2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R140D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.64 грн
10+154.14 грн
100+107.91 грн
500+89.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGL65R140D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGL65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Інші пропозиції IGL65R140D2XUMA1 за ціною від 75.94 грн до 276.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGL65R140D2XUMA1 IGL65R140D2XUMA1 INFINEON 448_IGL65R140D2.pdf Description: INFINEON - IGL65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.81 грн
10+176.38 грн
100+124.03 грн
500+98.72 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1 IGL65R140D2XUMA1 Infineon Technologies Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R140D2_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.25 грн
10+178.63 грн
100+108.38 грн
500+89.74 грн
3000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1 448_IGL65R140D2.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+269.81 грн
10+176.38 грн
100+124.03 грн
500+98.72 грн
1000+89.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1 Infineon_06-19-2025_DS_IGL65R140D2_1_0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.25 грн
10+178.63 грн
100+108.38 грн
500+89.74 грн
3000+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.