Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLD60R070D1AUMA3
IGLD60R070D1AUMA3

IGLD60R070D1AUMA3 Infineon Technologies

Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+453.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLD60R070D1AUMA3 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, isCanonical: N, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.

Інші пропозиції IGLD60R070D1AUMA3 за ціною від 420.78 грн до 925.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3 INFINEON Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511 Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+692.37 грн
50+591.76 грн
100+476.46 грн
250+466.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3 Infineon Technologies Infineon_IGLD60R070D1_DataSheet_v03_12_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+698.95 грн
10+622.50 грн
100+513.11 грн
500+495.49 грн
1000+420.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3 INFINEON Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511 Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.91 грн
5+809.14 грн
10+692.37 грн
50+591.76 грн
100+476.46 грн
250+466.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3 Infineon Technologies Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511 Description: GANFET N-CH
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511
IGLD60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+692.37 грн
50+591.76 грн
100+476.46 грн
250+466.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 Infineon_IGLD60R070D1_DataSheet_v03_12_EN.pdf
IGLD60R070D1AUMA3
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+698.95 грн
10+622.50 грн
100+513.11 грн
500+495.49 грн
1000+420.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511
IGLD60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+925.91 грн
5+809.14 грн
10+692.37 грн
50+591.76 грн
100+476.46 грн
250+466.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511
IGLD60R070D1AUMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.