IGLD60R190D1AUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 410.28 грн |
| 100+ | 330.50 грн |
| 500+ | 272.88 грн |
| 1000+ | 225.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLD60R190D1AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.2nC, Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CollGaN-Series, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IGLD60R190D1AUMA1 за ціною від 225.37 грн до 509.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGLD60R190D1AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.2nC Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CollGaN-Series productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGLD60R190D1AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IGLD60R190D1AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN N-CH 600V 10A LSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IGLD60R190D1AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN N-CH 600V 10A LSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Part Status: Obsolete Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IGLD60R190D1AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET GAN HV |
товару немає в наявності |