IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1015.27 грн |
| 25+ | 994.29 грн |
| 100+ | 893.49 грн |
| 250+ | 822.62 грн |
| 500+ | 784.82 грн |
| 1000+ | 780.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLD60R190D1AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm, isCanonical: N, Gate-Ladung, typ.: 3.2nC, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.
Інші пропозиції IGLD60R190D1AUMA1 за ціною від 780.24 грн до 1065.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGLD60R190D1AUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGLD60R190D1AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 3.2nC SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IGLD60R190D1AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 3.2nC SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm |
на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGLD60R190D1AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
Trans JFET N-CH 600V 10A GaN 8-Pin LSON EP T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1065.76 грн |
| 10+ | 1015.27 грн |
| 25+ | 994.29 грн |
| 100+ | 893.49 грн |
| 250+ | 822.62 грн |
| 500+ | 784.82 грн |
| 1000+ | 780.24 грн |
| IGLD60R190D1AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGLD60R190D1AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)