Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLD60R190D1AUMA3
IGLD60R190D1AUMA3

IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies

Infineon_IGLD60R190D1_DataSheet_v02_13_EN-3362239.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+453.91 грн
10+334.76 грн
25+260.79 грн
100+229.77 грн
250+220.61 грн
500+206.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies

Description: GAN HV, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): -10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-LSON-8-1, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції IGLD60R190D1AUMA3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGLD60R190D1AUMA3 IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies Infineon-IGLD60R190D1-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a6d78ff5e2aba Description: GAN HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3 IGLD60R190D1AUMA3 Infineon Technologies Infineon-IGLD60R190D1-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a6d78ff5e2aba Description: GAN HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3 Infineon-IGLD60R190D1-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a6d78ff5e2aba
IGLD60R190D1AUMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA3 Infineon-IGLD60R190D1-DataSheet-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a6d78ff5e2aba
IGLD60R190D1AUMA3
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 157 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 960µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.