Продукція > INFINEON > IGLD65R055D2AUMA1
IGLD65R055D2AUMA1

IGLD65R055D2AUMA1 INFINEON

4508764.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+326.45 грн
100+257.38 грн
500+218.38 грн
1000+193.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLD65R055D2AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 4.7nC, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGLD65R055D2AUMA1 за ціною від 174.09 грн до 513.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 INFINEON 4508764.pdf Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+472.00 грн
10+326.45 грн
100+257.38 грн
500+218.38 грн
1000+193.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 Infineon Technologies infineon-igld65r055d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 20A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.24 грн
10+317.72 грн
100+230.72 грн
500+205.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IGLD65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.11 грн
10+329.89 грн
100+215.68 грн
500+205.10 грн
1000+179.03 грн
3000+174.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 4508764.pdf
IGLD65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+472.00 грн
10+326.45 грн
100+257.38 грн
500+218.38 грн
1000+193.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 infineon-igld65r055d2-datasheet-en.pdf
IGLD65R055D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 20A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+489.24 грн
10+317.72 грн
100+230.72 грн
500+205.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD65R055D2AUMA1 Infineon_IGLD65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGLD65R055D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+513.11 грн
10+329.89 грн
100+215.68 грн
500+205.10 грн
1000+179.03 грн
3000+174.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.