IGLD65R055D2AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: GANFET N-CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 475.26 грн |
| 10+ | 308.64 грн |
| 100+ | 227.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLD65R055D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 4.7nC, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGLD65R055D2AUMA1 за ціною від 197.78 грн до 659.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLD65R055D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 |
на замовлення 2180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGLD65R055D2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.7nC Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IGLD65R055D2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.7nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IGLD65R055D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cool GaN Enhancement-mode Power Transistor |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IGLD65R055D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-1 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |