IGLD65R080D2AUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 389.27 грн |
| 10+ | 307.67 грн |
| 100+ | 215.85 грн |
| 500+ | 192.29 грн |
| 1000+ | 186.21 грн |
| 3000+ | 158.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLD65R080D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 3.3nC, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGLD65R080D2AUMA1 за ціною від 168.31 грн до 523.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLD65R080D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: HV GAN DISCRETESPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-2 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V |
на замовлення 2904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGLD65R080D2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.3nC Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IGLD65R080D2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R080D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 3.3nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IGLD65R080D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Cool GaN Enhancement-mode Power Transistor |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
IGLD65R080D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HV GAN DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-2 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |