IGLD65R110D2AUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 330.84 грн |
| 10+ | 254.40 грн |
| 100+ | 178.91 грн |
| 500+ | 159.60 грн |
| 1000+ | 135.85 грн |
| 3000+ | 128.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLD65R110D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85423990, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 2.4nC, Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGLD65R110D2AUMA1 за ціною від 123.55 грн до 417.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLD65R110D2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, OberflächenmontagetariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IGLD65R110D2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R110D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.4nC Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IGLD65R110D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HV GAN DISCRETES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-2 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IGLD65R110D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HV GAN DISCRETES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-LSON-8-2 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|