IGLD65R140D2AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 12A 8LDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-LDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-LSON-8-1
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 268.64 грн |
| 10+ | 169.74 грн |
| 100+ | 119.05 грн |
| 500+ | 92.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLD65R140D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: LSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.
Інші пропозиції IGLD65R140D2AUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLD65R140D2AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
на замовлення 2168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IGLD65R140D2AUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 |
на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IGLD65R140D2AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 1.8nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm |
на замовлення 2168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGLD65R140D2AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGLD65R140D2AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5
на замовлення 2667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IGLD65R140D2AUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
Description: INFINEON - IGLD65R140D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 12 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)