Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLR60R260D1XUMA1
IGLR60R260D1XUMA1

IGLR60R260D1XUMA1 Infineon Technologies

Infineon_IGLR60R260D1_DataSheet_v02_00_EN-3107351.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+407.04 грн
10+274.78 грн
25+238.23 грн
100+174.80 грн
500+151.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR60R260D1XUMA1 Infineon Technologies

Description: GAN HV, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): -10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSON-8-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA, Power Dissipation (Max): 52W (Tc).

Інші пропозиції IGLR60R260D1XUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGLR60R260D1XUMA1 IGLR60R260D1XUMA1 Infineon Technologies Infineon-IGLR60R260D1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01853485a00b3516 Description: GAN HV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 IGLR60R260D1XUMA1 Infineon Technologies Infineon-IGLR60R260D1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01853485a00b3516 Description: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 Infineon-IGLR60R260D1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01853485a00b3516
IGLR60R260D1XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR60R260D1XUMA1 Infineon-IGLR60R260D1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01853485a00b3516
IGLR60R260D1XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.