IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.5nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 335.90 грн |
| 500+ | 284.39 грн |
| 1000+ | 239.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLR60R260D1XUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.5nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CollGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGLR60R260D1XUMA1 за ціною від 157.79 грн до 428.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLR60R260D1XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 4699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IGLR60R260D1XUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR60R260D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.5nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IGLR60R260D1XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 10.4A GaN 8-Pin TSON EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IGLR60R260D1XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc) Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IGLR60R260D1XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Tc) Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 690µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |