IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.2nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: CollGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 240.44 грн |
| 500+ | 197.93 грн |
| 1000+ | 157.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLR60R340D1XUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.2nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: CollGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGLR60R340D1XUMA1 за ціною від 129.26 грн до 380.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLR60R340D1XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGLR60R340D1XUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR60R340D1XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 8.2 A, 0.27 ohm, 1.2 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.2nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: CollGaN Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGLR60R340D1XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V |
на замовлення 4290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGLR60R340D1XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 8.2A GaN 8-Pin TSON EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IGLR60R340D1XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 600V 8.2A GaN T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
IGLR60R340D1XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-7 Part Status: Active Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |