IGLR60R340D1XUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-7
Part Status: Active
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 367.13 грн |
| 10+ | 235.56 грн |
| 100+ | 168.62 грн |
| 500+ | 131.46 грн |
| 1000+ | 124.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLR60R340D1XUMA1 Infineon Technologies
Description: GAN HV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc), Power Dissipation (Max): 41.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 530µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-7, Part Status: Active, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87.7 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLR60R340D1XUMA1 за ціною від 140.97 грн до 431.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLR60R340D1XUMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IGLR60R340D1XUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HV GAN DISCRETES
MOSFETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 431.71 грн |
| 10+ | 278.83 грн |
| 100+ | 179.03 грн |
| 500+ | 158.59 грн |
| 1000+ | 150.13 грн |
| 5000+ | 140.97 грн |