Продукція > INFINEON > IGLR65R140D2XUMA1
IGLR65R140D2XUMA1

IGLR65R140D2XUMA1 INFINEON

4421068.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+126.63 грн
500+98.50 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR65R140D2XUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.8nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGLR65R140D2XUMA1 за ціною від 75.42 грн до 275.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGLR65R140D2XUMA1 IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies infineon-iglr65r140d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.46 грн
10+165.54 грн
100+115.73 грн
500+89.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies Infineon_IGLR65R140D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.47 грн
10+178.32 грн
100+108.54 грн
500+88.81 грн
2500+83.17 грн
5000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 IGLR65R140D2XUMA1 INFINEON 4421068.pdf Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.47 грн
10+180.91 грн
100+126.63 грн
500+98.50 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 infineon-iglr65r140d2-datasheet-en.pdf
IGLR65R140D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 13A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.1A
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+262.46 грн
10+165.54 грн
100+115.73 грн
500+89.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 Infineon_IGLR65R140D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGLR65R140D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+275.47 грн
10+178.32 грн
100+108.54 грн
500+88.81 грн
2500+83.17 грн
5000+75.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R140D2XUMA1 4421068.pdf
IGLR65R140D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+275.47 грн
10+180.91 грн
100+126.63 грн
500+98.50 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.