IGLR65R140D2XUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1.8nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 240.15 грн |
| 500+ | 198.22 грн |
| 1000+ | 156.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLR65R140D2XUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.8nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGLR65R140D2XUMA1 за ціною від 85.94 грн до 352.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLR65R140D2XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGLR65R140D2XUMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V |
на замовлення 4707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGLR65R140D2XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 3471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGLR65R140D2XUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR65R140D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.8nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGLR65R140D2XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGLR65R140D2XUMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |