IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.26nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.
Інші пропозиції IGLR65R200D2XUMA1 за ціною від 63.39 грн до 196.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V |
на замовлення 6605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGLR65R200D2XUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
IGLR65R200D2XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1.26nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
на замовлення 3705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
IGLR65R200D2XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Ladung, typ.: 1.26nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm |
на замовлення 3705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 88.89 грн |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 114.20 грн |
| 10+ | 98.98 грн |
| 25+ | 92.97 грн |
| 100+ | 83.92 грн |
| 250+ | 77.62 грн |
| 500+ | 72.78 грн |
| 1000+ | 71.05 грн |
| 3000+ | 69.31 грн |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 9.3A 8-Pin TSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 124+ | 114.20 грн |
| 143+ | 98.98 грн |
| 153+ | 92.97 грн |
| 163+ | 83.92 грн |
| 250+ | 77.62 грн |
| 500+ | 72.78 грн |
| 1000+ | 71.05 грн |
| 3000+ | 69.31 грн |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 6605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 196.74 грн |
| 10+ | 122.20 грн |
| 50+ | 93.28 грн |
| 100+ | 78.77 грн |
| 500+ | 63.39 грн |
| IGLR65R200D2XUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IGLR65R200D2XUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGLR65R200D2XUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)