Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLR65R200D2XUMA1
IGLR65R200D2XUMA1

IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies

infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.26nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.

Інші пропозиції IGLR65R200D2XUMA1 за ціною від 55.95 грн до 191.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 INFINEON infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.91 грн
500+64.01 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies infineoniglr65r200d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies infineoniglr65r200d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.82 грн
10+107.58 грн
25+106.51 грн
100+88.19 грн
250+80.85 грн
500+70.94 грн
1000+70.13 грн
3000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies infineoniglr65r200d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+129.82 грн
132+107.58 грн
133+106.51 грн
155+88.19 грн
250+81.54 грн
500+69.61 грн
1000+69.46 грн
3000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 INFINEON infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.52 грн
10+114.61 грн
100+82.91 грн
500+64.01 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.25 грн
10+118.80 грн
100+81.58 грн
500+61.62 грн
1000+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies Infineon_IGLR65R200D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf
IGLR65R200D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+82.91 грн
500+64.01 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 infineoniglr65r200d2datasheetv0100en.pdf
IGLR65R200D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 infineoniglr65r200d2datasheetv0100en.pdf
IGLR65R200D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+129.82 грн
10+107.58 грн
25+106.51 грн
100+88.19 грн
250+80.85 грн
500+70.94 грн
1000+70.13 грн
3000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 infineoniglr65r200d2datasheetv0100en.pdf
IGLR65R200D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
109+129.82 грн
132+107.58 грн
133+106.51 грн
155+88.19 грн
250+81.54 грн
500+69.61 грн
1000+69.46 грн
3000+69.31 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf
IGLR65R200D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R200D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 9.2 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+184.52 грн
10+114.61 грн
100+82.91 грн
500+64.01 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 infineon-iglr65r200d2-datasheet-en.pdf
IGLR65R200D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 9.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.1A
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 710µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.26 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 91 pF @ 400 V
на замовлення 6632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.25 грн
10+118.80 грн
100+81.58 грн
500+61.62 грн
1000+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R200D2XUMA1 Infineon_IGLR65R200D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGLR65R200D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.