Продукція > INFINEON > IGLR65R270D2XUMA1
IGLR65R270D2XUMA1

IGLR65R270D2XUMA1 INFINEON

4421067.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR65R270D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 7.2 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+72.12 грн
500+56.05 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR65R270D2XUMA1 INFINEON

Description: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLR65R270D2XUMA1 за ціною від 41.30 грн до 174.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies infineoniglr65r270d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.37 грн
154+92.43 грн
179+79.44 грн
250+75.84 грн
500+63.70 грн
1000+59.30 грн
3000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies infineoniglr65r270d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+105.31 грн
20000+96.23 грн
30000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies infineoniglr65r270d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.18 грн
10+93.37 грн
25+92.43 грн
100+76.60 грн
250+70.22 грн
500+61.16 грн
1000+59.30 грн
3000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies infineon-iglr65r270d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.10 грн
10+104.23 грн
100+71.01 грн
500+53.30 грн
1000+49.01 грн
2000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies Infineon-IGLR65R270D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.33 грн
10+102.94 грн
100+63.65 грн
500+53.07 грн
1000+48.28 грн
2500+47.58 грн
5000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 infineoniglr65r270d2datasheetv0100en.pdf
IGLR65R270D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
152+93.37 грн
154+92.43 грн
179+79.44 грн
250+75.84 грн
500+63.70 грн
1000+59.30 грн
3000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 infineoniglr65r270d2datasheetv0100en.pdf
IGLR65R270D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+105.31 грн
20000+96.23 грн
30000+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 infineoniglr65r270d2datasheetv0100en.pdf
IGLR65R270D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+112.18 грн
10+93.37 грн
25+92.43 грн
100+76.60 грн
250+70.22 грн
500+61.16 грн
1000+59.30 грн
3000+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 infineon-iglr65r270d2-datasheet-en.pdf
IGLR65R270D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.10 грн
10+104.23 грн
100+71.01 грн
500+53.30 грн
1000+49.01 грн
2000+48.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 Infineon-IGLR65R270D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IGLR65R270D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+174.33 грн
10+102.94 грн
100+63.65 грн
500+53.07 грн
1000+48.28 грн
2500+47.58 грн
5000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.