Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLR65R270D2XUMA1
IGLR65R270D2XUMA1

IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies

IGLR65R270D2XUMA1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.44 грн
10+106.14 грн
100+72.31 грн
500+54.28 грн
1000+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: IGLR65R270D2XUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLR65R270D2XUMA1 за ціною від 46.58 грн до 190.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGLR65R270D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.50 грн
10+120.58 грн
100+71.56 грн
500+59.23 грн
1000+54.83 грн
5000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Виробник : Infineon Technologies IGLR65R270D2XUMA1.pdf Description: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.