Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLR65R270D2XUMA1
IGLR65R270D2XUMA1

IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies

IGLR65R270D2XUMA1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.66 грн
10+103.59 грн
100+70.59 грн
500+52.99 грн
1000+51.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: IGLR65R270D2XUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLR65R270D2XUMA1 за ціною від 44.66 грн до 182.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGLR65R270D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.62 грн
10+115.59 грн
100+68.60 грн
500+56.78 грн
1000+52.56 грн
5000+44.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR65R270D2XUMA1 IGLR65R270D2XUMA1 Виробник : Infineon Technologies IGLR65R270D2XUMA1.pdf Description: IGLR65R270D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.