Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLR65R270D2XUMA1

IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies

Name: IGLR65R270D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 52841597-4
Price: 359.92 UAH
Availability: InStock

Infineon_IGLR65R270D2_DataSheet_v01_00_EN-3518093.pdf

Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES

на замовлення 3500 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	179.96 грн
10+	113.91 грн
100+	67.60 грн
500+	55.95 грн
1000+	51.80 грн
5000+	44.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies

Description: IGLR65R270D2XUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLR65R270D2XUMA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	IGLR65R270D2XUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGLR65R270D2XUMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	IGLR65R270D2XUMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGLR65R270D2XUMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.