на замовлення 4965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.94 грн |
| 10+ | 105.04 грн |
| 100+ | 62.33 грн |
| 500+ | 51.60 грн |
| 1000+ | 47.76 грн |
| 5000+ | 40.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A, Power Dissipation (Max): 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA, Supplier Device Package: PG-TSON-8-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLR65R270D2XUMA1 за ціною від 48.62 грн до 168.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLR65R270D2XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V |
на замовлення 4354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGLR65R270D2XUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 7.2A 8TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |