IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies


infineoniglr70r200d2sdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+95.65 грн
151+94.84 грн
178+80.45 грн
250+77.20 грн
500+63.37 грн
1000+59.88 грн
3000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 150 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.26nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.

Інші пропозиції IGLR70R200D2SXUMA1 за ціною від 38.75 грн до 170.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies infineoniglr70r200d2sdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.95 грн
10+95.65 грн
25+94.84 грн
100+77.58 грн
250+71.48 грн
500+60.84 грн
1000+59.88 грн
3000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies Infineon_03-25-2025_DS_IGLR70R200D2S_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+165.91 грн
10+99.77 грн
100+61.71 грн
500+49.84 грн
1000+45.47 грн
2500+44.75 грн
5000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies infineon-iglr70r200d2s-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.84 грн
10+105.93 грн
50+80.42 грн
100+67.76 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 INFINEON 4520237.pdf Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 INFINEON 4520237.pdf Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 infineoniglr70r200d2sdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 9.3A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+114.95 грн
10+95.65 грн
25+94.84 грн
100+77.58 грн
250+71.48 грн
500+60.84 грн
1000+59.88 грн
3000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon_03-25-2025_DS_IGLR70R200D2S_1_0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4965 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.91 грн
10+99.77 грн
100+61.71 грн
500+49.84 грн
1000+45.47 грн
2500+44.75 грн
5000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 infineon-iglr70r200d2s-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 700V 9.3A 8TDFN
на замовлення 4873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+170.84 грн
10+105.93 грн
50+80.42 грн
100+67.76 грн
500+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 4520237.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 4520237.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.