IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies
на замовлення 5180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.57 грн |
| 10+ | 105.84 грн |
| 100+ | 62.33 грн |
| 500+ | 52.43 грн |
| 1000+ | 48.60 грн |
| 5000+ | 41.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1.26nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGLR70R200D2SXUMA1 за ціною від 97.61 грн до 170.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLR70R200D2SXUMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1.26nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|