Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLR70R200D2SXUMA1
IGLR70R200D2SXUMA1

IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies

infineoniglr70r200d2sdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
150+94.42 грн
151+94.00 грн
178+79.74 грн
250+76.52 грн
500+62.81 грн
1000+59.35 грн
3000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.26nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm.

Інші пропозиції IGLR70R200D2SXUMA1 за ціною від 48.63 грн до 176.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies infineoniglr70r200d2sdatasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.93 грн
10+94.46 грн
25+94.02 грн
100+77.61 грн
250+71.15 грн
500+62.09 грн
1000+60.25 грн
3000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 INFINEON Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.39 грн
10+107.30 грн
100+75.51 грн
500+57.67 грн
1000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon Technologies Infineon_03-25-2025_DS_IGLR70R200D2S_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 infineoniglr70r200d2sdatasheetv0100en.pdf
IGLR70R200D2SXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+113.93 грн
10+94.46 грн
25+94.02 грн
100+77.61 грн
250+71.15 грн
500+62.09 грн
1000+60.25 грн
3000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1
IGLR70R200D2SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R200D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.26nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+176.39 грн
10+107.30 грн
100+75.51 грн
500+57.67 грн
1000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R200D2SXUMA1 Infineon_03-25-2025_DS_IGLR70R200D2S_1_0.pdf
IGLR70R200D2SXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.