Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLR70R270D2SXUMA1
IGLR70R270D2SXUMA1

IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies

infineoniglr70r270d2sdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+98.79 грн
144+97.80 грн
181+78.02 грн
250+74.47 грн
500+62.01 грн
1000+54.84 грн
3000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm.

Інші пропозиції IGLR70R270D2SXUMA1 за ціною від 46.48 грн до 175.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies infineoniglr70r270d2sdatasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.23 грн
10+98.79 грн
25+97.80 грн
100+75.23 грн
250+68.96 грн
500+59.53 грн
1000+54.84 грн
3000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies infineon-iglr70r270d2s-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.50 грн
10+108.14 грн
100+73.27 грн
500+54.77 грн
1000+50.27 грн
2000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 INFINEON infineon-iglr70r270d2s-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies Infineon+03-25-2025_DS_IGLR70R270D2S_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 infineoniglr70r270d2sdatasheetv0100en.pdf
IGLR70R270D2SXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+126.23 грн
10+98.79 грн
25+97.80 грн
100+75.23 грн
250+68.96 грн
500+59.53 грн
1000+54.84 грн
3000+50.15 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 infineon-iglr70r270d2s-datasheet-en.pdf
IGLR70R270D2SXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.50 грн
10+108.14 грн
100+73.27 грн
500+54.77 грн
1000+50.27 грн
2000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 infineon-iglr70r270d2s-datasheet-en.pdf
IGLR70R270D2SXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon+03-25-2025_DS_IGLR70R270D2S_1_0.pdf
IGLR70R270D2SXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.