Продукція > INFINEON > IGLR70R270D2SXUMA1
IGLR70R270D2SXUMA1

IGLR70R270D2SXUMA1 INFINEON

4520238.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.85 грн
10+105.47 грн
100+84.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLR70R270D2SXUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IGLR70R270D2SXUMA1 за ціною від 35.60 грн до 152.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iglr70r270d2s-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.77 грн
10+93.27 грн
100+63.24 грн
500+47.27 грн
1000+43.38 грн
2000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon+03-25-2025_DS_IGLR70R270D2S_1_0.pdf GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.53 грн
10+95.97 грн
100+58.07 грн
500+49.23 грн
1000+41.86 грн
5000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLR70R270D2SXUMA1 IGLR70R270D2SXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-iglr70r270d2s-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.