IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 143+ | 98.80 грн |
| 145+ | 97.81 грн |
| 182+ | 77.64 грн |
| 250+ | 73.77 грн |
| 500+ | 58.04 грн |
| 1000+ | 50.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm.
Інші пропозиції IGLR70R270D2SXUMA1 за ціною від 50.38 грн до 169.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R |
на замовлення 4971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 1nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 700V 7.3A 8-Pin TSON T/R
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 129.31 грн |
| 10+ | 98.80 грн |
| 25+ | 97.81 грн |
| 100+ | 74.87 грн |
| 250+ | 68.31 грн |
| 500+ | 55.72 грн |
| 1000+ | 50.38 грн |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.70 грн |
| 10+ | 104.14 грн |
| 50+ | 78.76 грн |
| 100+ | 66.23 грн |
| 500+ | 52.75 грн |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)