IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 143+ | 99.46 грн |
| 144+ | 98.46 грн |
| 181+ | 78.54 грн |
| 250+ | 74.97 грн |
| 500+ | 62.43 грн |
| 1000+ | 55.21 грн |
| 3000+ | 50.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLR70R270D2SXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 1nC, Bauform - Transistor: TSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IGLR70R270D2SXUMA1 за ціною від 39.19 грн до 161.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies |
 Enhancement-Mode Power GaN Transistor |
на замовлення 4971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A Power Dissipation (Max): 28W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA Supplier Device Package: PG-TSON-8-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V |
на замовлення 4045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGLR70R270D2SXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 1nC Bauform - Transistor: TSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IGLR70R270D2SXUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5 |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 127.08 грн |
| 10+ | 99.46 грн |
| 25+ | 98.46 грн |
| 100+ | 75.74 грн |
| 250+ | 69.42 грн |
| 500+ | 59.93 грн |
| 1000+ | 55.21 грн |
| 3000+ | 50.49 грн |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 700V 7.3A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 4045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.83 грн |
| 10+ | 94.53 грн |
| 100+ | 64.10 грн |
| 500+ | 47.91 грн |
| 1000+ | 43.97 грн |
| 2000+ | 42.68 грн |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGLR70R270D2SXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 1nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 155.41 грн |
| 10+ | 100.32 грн |
| 100+ | 67.35 грн |
| 500+ | 49.86 грн |
| 1000+ | 41.66 грн |
| IGLR70R270D2SXUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G5
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 161.17 грн |
| 10+ | 97.27 грн |
| 100+ | 58.57 грн |
| 500+ | 47.72 грн |
| 1000+ | 42.50 грн |
| 2500+ | 41.80 грн |
| 5000+ | 39.19 грн |