Продукція > INFINEON > IGLT65R025D2AUMA1
IGLT65R025D2AUMA1

IGLT65R025D2AUMA1 INFINEON

4421078.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+627.41 грн
50+524.57 грн
100+430.65 грн
250+422.19 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R025D2AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 67A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 11nC, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGLT65R025D2AUMA1 за ціною від 365.80 грн до 875.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGLT65R025D2AUMA1 IGLT65R025D2AUMA1 INFINEON 4421078.pdf Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+875.75 грн
5+751.58 грн
10+627.41 грн
50+524.57 грн
100+430.65 грн
250+422.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1 IGLT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IGLT65R025D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+875.75 грн
10+618.45 грн
100+430.65 грн
1000+365.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1 4421078.pdf
IGLT65R025D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+875.75 грн
5+751.58 грн
10+627.41 грн
50+524.57 грн
100+430.65 грн
250+422.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R025D2AUMA1 Infineon_IGLT65R025D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGLT65R025D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+875.75 грн
10+618.45 грн
100+430.65 грн
1000+365.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.