на замовлення 1800 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1020.51 грн |
| 10+ | 885.80 грн |
| 25+ | 749.66 грн |
| 50+ | 708.46 грн |
| 100+ | 666.53 грн |
| 250+ | 645.19 грн |
| 500+ | 603.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: IGLT65R035D2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Power Dissipation (Max): 154W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLT65R035D2ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLT65R035D2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGLT65R035D2ATMA1Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Power Dissipation (Max): 154W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IGLT65R035D2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGLT65R035D2ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Power Dissipation (Max): 154W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |