Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLT65R035D2ATMA1
IGLT65R035D2ATMA1

IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IGLT65R035D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a2bde287278 Виробник: Infineon Technologies
Description: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 1601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+717.13 грн
10+475.25 грн
100+388.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGLT65R035D2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Power Dissipation (Max): 154W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLT65R035D2ATMA1 за ціною від 330.71 грн до 846.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGLT65R035D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+769.86 грн
10+575.32 грн
100+417.41 грн
500+371.37 грн
1000+330.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Виробник : INFINEON 4421077.pdf Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+846.98 грн
50+700.16 грн
100+619.01 грн
250+588.76 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGLT65R035D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a2bde287278 Description: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.