Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLT65R035D2ATMA1
IGLT65R035D2ATMA1

IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

infineoniglt65r035d2datasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+673.69 грн
10+568.42 грн
25+565.11 грн
100+459.45 грн
250+424.58 грн
500+406.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 7.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

Інші пропозиції IGLT65R035D2ATMA1 за ціною від 406.86 грн до 673.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies infineoniglt65r035d2datasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+673.69 грн
25+568.42 грн
26+565.11 грн
100+459.45 грн
250+424.58 грн
500+406.86 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 INFINEON 4421077.pdf Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 INFINEON 4421077.pdf Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 infineoniglt65r035d2datasheetv0100en.pdf
IGLT65R035D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 48A 16-Pin HDSOP EP T/R
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+673.69 грн
25+568.42 грн
26+565.11 грн
100+459.45 грн
250+424.58 грн
500+406.86 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 4421077.pdf
IGLT65R035D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 4421077.pdf
IGLT65R035D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R035D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 47 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.