IGLT65R035D2ATMA1

IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies


Infineon_IGLT65R035D2_DataSheet_v01_00_EN-3518063.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs
на замовлення 1800 шт:

термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1020.51 грн
10+885.80 грн
25+749.66 грн
50+708.46 грн
100+666.53 грн
250+645.19 грн
500+603.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R035D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGLT65R035D2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Power Dissipation (Max): 154W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLT65R035D2ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGLT65R035D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a2bde287278 Description: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R035D2ATMA1 IGLT65R035D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGLT65R035D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a2bde287278 Description: IGLT65R035D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.