| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 567.38 грн |
| 10+ | 394.74 грн |
| 100+ | 285.45 грн |
| 500+ | 268.54 грн |
| 1800+ | 227.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLT65R045D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 6nC, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IGLT65R045D2ATMA1 за ціною від 257.74 грн до 675.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLT65R045D2ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 6nC Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IGLT65R045D2ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V |
на замовлення 1113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IGLT65R045D2ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IGLT65R045D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 613.43 грн |
| 5+ | 503.25 грн |
| 10+ | 393.06 грн |
| 50+ | 326.80 грн |
| 100+ | 266.42 грн |
| 250+ | 260.79 грн |
| IGLT65R045D2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 38A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 675.58 грн |
| 10+ | 441.95 грн |
| 100+ | 324.28 грн |
| 500+ | 257.74 грн |