Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLT65R055B2AUMA1
IGLT65R055B2AUMA1

IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies

infineon-iglt65r055b2-pds-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1800+377.44 грн
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLT65R055B2AUMA1 за ціною від 332.68 грн до 935.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 INFINEON 4590052.pdf Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+611.79 грн
50+511.59 грн
100+419.37 грн
250+410.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r055b2-pds-datasheet-en.pdf GaN FETs CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+840.39 грн
10+573.87 грн
100+391.88 грн
1000+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 INFINEON 4590052.pdf Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.15 грн
5+747.47 грн
10+611.79 грн
50+511.59 грн
100+419.37 грн
250+410.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r055b2-pds-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.66 грн
10+623.29 грн
100+466.83 грн
500+395.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 4590052.pdf
IGLT65R055B2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+611.79 грн
50+511.59 грн
100+419.37 грн
250+410.91 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 infineon-iglt65r055b2-pds-datasheet-en.pdf
IGLT65R055B2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+840.39 грн
10+573.87 грн
100+391.88 грн
1000+332.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 4590052.pdf
IGLT65R055B2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+883.15 грн
5+747.47 грн
10+611.79 грн
50+511.59 грн
100+419.37 грн
250+410.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 infineon-iglt65r055b2-pds-datasheet-en.pdf
IGLT65R055B2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+935.66 грн
10+623.29 грн
100+466.83 грн
500+395.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.