IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 350.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLT65R055B2AUMA1 за ціною від 328.23 грн до 871.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLT65R055B2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGLT65R055B2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V |
на замовлення 3164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGLT65R055B2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IGLT65R055B2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.4nC Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGLT65R055B2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V T/R |
товару немає в наявності |