IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A, Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLT65R055B2AUMA1 за ціною від 422.39 грн до 806.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IGLT65R055B2AUMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V |
на замовлення 2682 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IGLT65R055B2AUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode |
на замовлення 2243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IGLT65R055B2AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: - rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 5.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: - |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IGLT65R055B2AUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGLT65R055B2AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 21.8A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 9A
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 806.68 грн |
| 10+ | 537.79 грн |
| 100+ | 422.39 грн |
| IGLT65R055B2AUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode
GaN FETs CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IGLT65R055B2AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 5.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGLT65R055B2AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IGLT65R055B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 5.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




