Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLT65R055B2AUMA1
IGLT65R055B2AUMA1

IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies

Infineon-IGLT65R055B2_PDS-DataSheet-v00_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195477557591d01 Виробник: Infineon Technologies
Description: HV GAN DISCRETES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.68 грн
10+544.27 грн
100+457.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R055B2AUMA1 Infineon Technologies

Description: HV GAN DISCRETES, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc), Power Dissipation (Max): 135W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLT65R055B2AUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGLT65R055B2_PDS-DataSheet-v00_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195477557591d01 Description: HV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.8A (Tc)
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 346 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055B2AUMA1 IGLT65R055B2AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGLT65R055B2_PDS-DataSheet-v00_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0195477557591d01 CoolGaN Bi -directional switch, enhancement -mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.