Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A, Power Dissipation (Max): 102W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLT65R055D2ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IGLT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IGLT65R055D2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
IGLT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 31A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
IGLT65R055D2ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 31A 16-Pin HDSOP EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGLT65R055D2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGLT65R055D2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IGLT65R055D2ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGLT65R055D2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 31A 16-Pin HDSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 31A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IGLT65R055D2ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 31A 16-Pin HDSOP EP T/R
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 31A 16-Pin HDSOP EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.