Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLT65R055D2ATMA1
IGLT65R055D2ATMA1

IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies

infineon-iglt65r055d2-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+476.08 грн
10+308.57 грн
50+244.49 грн
100+210.10 грн
500+198.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A, Power Dissipation (Max): 102W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLT65R055D2ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGLT65R055D2ATMA1 IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGLT65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1 IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r055d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1 Infineon_IGLT65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGLT65R055D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1 infineon-iglt65r055d2-datasheet-en.pdf
IGLT65R055D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику  од. на суму  грн.