Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLT65R055D2ATMA1
IGLT65R055D2ATMA1

IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies

IGLT65R055D2ATMA1.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: IGLT65R055D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.52 грн
10+303.29 грн
100+249.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGLT65R055D2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Power Dissipation (Max): 102W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLT65R055D2ATMA1 за ціною від 194.87 грн до 482.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGLT65R055D2ATMA1 IGLT65R055D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGLT65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.11 грн
10+363.61 грн
100+255.52 грн
500+227.47 грн
1000+194.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R055D2ATMA1 IGLT65R055D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IGLT65R055D2ATMA1.pdf Description: IGLT65R055D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.