| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 442.16 грн |
| 10+ | 333.48 грн |
| 100+ | 234.35 грн |
| 500+ | 208.62 грн |
| 1000+ | 178.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLT65R055D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A, Power Dissipation (Max): 102W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLT65R055D2ATMA1 за ціною від 223.89 грн до 476.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLT65R055D2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IGLT65R055D2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 31A 16SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 102W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |