Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLT65R110B2AUMA1
IGLT65R110B2AUMA1

IGLT65R110B2AUMA1 Infineon Technologies

infineon-iglt65r110b2-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 14A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4.5A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.36mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.52 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 149 pF @ 400 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+434.72 грн
10+321.76 грн
25+297.56 грн
100+254.25 грн
250+242.34 грн
500+235.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R110B2AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 1.61nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm.

Інші пропозиції IGLT65R110B2AUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGLT65R110B2AUMA1 IGLT65R110B2AUMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r110b2-datasheet-en.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1 IGLT65R110B2AUMA1 INFINEON 4633755.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.61nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1 IGLT65R110B2AUMA1 INFINEON 4633755.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1 infineon-iglt65r110b2-datasheet-en.pdf
IGLT65R110B2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1 4633755.pdf
IGLT65R110B2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 1.61nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110B2AUMA1 4633755.pdf
IGLT65R110B2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110B2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 0.14 ohm, 1.61 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.