IGLT65R110B2AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 14A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4.5A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.36mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.52 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 149 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 507.91 грн |
| 10+ | 375.43 грн |
| 25+ | 347.17 грн |
| 100+ | 296.62 грн |
| 250+ | 282.71 грн |
| 500+ | 274.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLT65R110B2AUMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 14A 16SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4.5A, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.36mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-9, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.52 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 149 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLT65R110B2AUMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLT65R110B2AUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGLT65R110B2AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)