Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGLT65R110D2ATMA1
IGLT65R110D2ATMA1

IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies

Infineon_IGLT65R110D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.18 грн
10+220.26 грн
100+147.45 грн
500+130.73 грн
1000+112.49 грн
1800+107.93 грн
3600+104.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies

Description: IGLT65R110D2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGLT65R110D2ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IGLT65R110D2ATMA1.pdf Description: IGLT65R110D2ATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 Виробник : Infineon Technologies IGLT65R110D2ATMA1.pdf Description: IGLT65R110D2ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.