Продукція > INFINEON > IGLT65R110D2ATMA1
IGLT65R110D2ATMA1

IGLT65R110D2ATMA1 INFINEON

4421074.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+149.66 грн
500+122.93 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGLT65R110D2ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 2.4nC, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 16Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGLT65R110D2ATMA1 за ціною від 97.27 грн до 371.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies infineoniglt65r110d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.31 грн
10+197.73 грн
25+195.75 грн
100+165.21 грн
250+151.37 грн
500+136.67 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies infineoniglt65r110d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+239.31 грн
72+197.73 грн
73+195.75 грн
100+164.12 грн
250+150.44 грн
500+140.47 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 INFINEON 4421074.pdf Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.89 грн
10+197.35 грн
100+149.66 грн
500+122.93 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IGLT65R110D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.85 грн
10+207.50 грн
100+133.92 грн
500+114.89 грн
1800+97.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies infineon-iglt65r110d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.88 грн
10+236.25 грн
100+167.01 грн
500+129.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 infineoniglt65r110d2datasheetv0100en.pdf
IGLT65R110D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+239.31 грн
10+197.73 грн
25+195.75 грн
100+165.21 грн
250+151.37 грн
500+136.67 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 infineoniglt65r110d2datasheetv0100en.pdf
IGLT65R110D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
60+239.31 грн
72+197.73 грн
73+195.75 грн
100+164.12 грн
250+150.44 грн
500+140.47 грн
1000+136.42 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 4421074.pdf
IGLT65R110D2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLT65R110D2ATMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+305.89 грн
10+197.35 грн
100+149.66 грн
500+122.93 грн
1000+109.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 Infineon_IGLT65R110D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGLT65R110D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+333.85 грн
10+207.50 грн
100+133.92 грн
500+114.89 грн
1800+97.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLT65R110D2ATMA1 infineon-iglt65r110d2-datasheet-en.pdf
IGLT65R110D2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 15A 16SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-PowerSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 4A
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+371.88 грн
10+236.25 грн
100+167.01 грн
500+129.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.