на замовлення 1800 шт:
термін постачання 201-210 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 492.66 грн |
| 10+ | 416.25 грн |
| 25+ | 328.11 грн |
| 100+ | 301.63 грн |
| 250+ | 283.97 грн |
| 500+ | 266.32 грн |
| 1000+ | 239.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGLT65R110D2ATMA1 Infineon Technologies
Description: IGLT65R110D2ATMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-PowerSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGLT65R110D2ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGLT65R110D2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGLT65R110D2ATMA1Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IGLT65R110D2ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGLT65R110D2ATMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 16-PowerSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-16-8 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |