IGO60R042D1AUMA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GAN HV
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-85
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGO60R042D1AUMA2 Infineon Technologies
Description: GAN HV, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Supplier Device Package: PG-DSO-20-85, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IGO60R042D1AUMA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGO60R042D1AUMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs HV GAN DISCRETES |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGO60R042D1AUMA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HV GAN DISCRETES
MOSFETs HV GAN DISCRETES
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.



