Продукція > INFINEON > IGOT60R070D1AUMA1
IGOT60R070D1AUMA1

IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON

INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+892.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IGOT60R070D1AUMA1 за ціною від 892.72 грн до 1125.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+910.65 грн
5+ 892.72 грн
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGOT60R070D1-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685fa65066523 Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+1125.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGOT60R070D1_DataSheet_v02_14_EN-1500916.pdf MOSFET GAN HV
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-igot60r070d1-datasheet-v02_12-en.pdf Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 20-Pin DSO EP T/R
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGOT60R070D1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGOT60R070D1-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685fa65066523 Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGOT60R070D1-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685fa65066523 Description: GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
товар відсутній
IGOT60R070D1AUMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGOT60R070D1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; CoolGaN™; unipolar; HEMT; 600V; 31A; Idm: 60A
Type of transistor: N-JFET
Technology: CoolGaN™
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: HEMT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 125W
Case: PG-DSO-20
Gate-source voltage: -10V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Gate current: 20mA
товар відсутній