Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGOT60R070D1AUMA1
IGOT60R070D1AUMA1

IGOT60R070D1AUMA1 Infineon Technologies

Infineon_IGOT60R070D1_DataSheet_v02_14_EN-1500916.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET GAN HV
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGOT60R070D1AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IGOT60R070D1AUMA1 за ціною від 1312.20 грн до 2301.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 IGOT60R070D1AUMA1 INFINEON INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 Infineon Technologies Infineon-IGOT60R070D1-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685fa65066523 600V enhancement-mode JFET Transistor
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2301.08 грн
10+2065.77 грн
25+1931.58 грн
50+1843.46 грн
100+1522.97 грн
250+1329.21 грн
500+1312.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGOT60R070D1AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 INFN-S-A0006767332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGOT60R070D1AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA1 Infineon-IGOT60R070D1-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685fa65066523
Виробник: Infineon Technologies
600V enhancement-mode JFET Transistor
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2301.08 грн
10+2065.77 грн
25+1931.58 грн
50+1843.46 грн
100+1522.97 грн
250+1329.21 грн
500+1312.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.