IGOT60R070D1AUMA3 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-DSO-20-87
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1010.66 грн |
| 10+ | 682.81 грн |
| 100+ | 519.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGOT60R070D1AUMA3 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 5.8nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGOT60R070D1AUMA3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGOT60R070D1AUMA3 | Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 1136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IGOT60R070D1AUMA3 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
IGOT60R070D1AUMA3 | INFINEON |
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 5.8nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| IGOT60R070D1AUMA3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IGOT60R070D1AUMA3 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IGOT60R070D1AUMA3 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)