IGOT65R025D2AUMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 11nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 805.03 грн |
| 50+ | 687.00 грн |
| 100+ | 596.43 грн |
| 250+ | 578.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGOT65R025D2AUMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 11nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IGOT65R025D2AUMA1 за ціною від 442.95 грн до 965.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IGOT65R025D2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGOT65R025D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 11nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGOT65R025D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IGOT65R025D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGOT65R025D2AUMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-91 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IGOT65R025D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGOT65R025D2AUMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-91 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |