IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGOT65R025D2AUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 841.30 грн |
| 10+ | 564.12 грн |
| 100+ | 486.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGOT65R025D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: IGOT65R025D2AUMA1, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): -10V, Supplier Device Package: PG-DSO-20-91, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 6.1mA, Power Dissipation (Max): 184W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 3 V.
Інші пропозиції IGOT65R025D2AUMA1 за ціною від 386.24 грн до 861.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGOT65R025D2AUMA1 | Infineon Technologies |
GaN FETs HV GAN DISCRETES |
на замовлення 588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IGOT65R025D2AUMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 861.77 грн |
| 10+ | 691.40 грн |
| 100+ | 501.13 грн |
| 500+ | 454.61 грн |
| 800+ | 386.24 грн |