Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGOT65R035D2AUMA1
IGOT65R035D2AUMA1

IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies

infineon_igot65r035d2_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 467 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+722.23 грн
10+396.09 грн
100+328.77 грн
500+279.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGOT65R035D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 7.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.

Інші пропозиції IGOT65R035D2AUMA1 за ціною від 359.37 грн до 748.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGOT65R035D2AUMA1 IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies infineon-igot65r035d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+748.29 грн
10+496.88 грн
50+401.11 грн
100+359.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1 IGOT65R035D2AUMA1 INFINEON 4421072.pdf Description: INFINEON - IGOT65R035D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1 IGOT65R035D2AUMA1 INFINEON 4421072.pdf Description: INFINEON - IGOT65R035D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1 infineon-igot65r035d2-datasheet-en.pdf
IGOT65R035D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+748.29 грн
10+496.88 грн
50+401.11 грн
100+359.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1 4421072.pdf
IGOT65R035D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R035D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R035D2AUMA1 4421072.pdf
IGOT65R035D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R035D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 44 A, 0.042 ohm, 7.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Ladung, typ.: 7.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.