на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 706.07 грн |
| 10+ | 544.44 грн |
| 100+ | 394.64 грн |
| 500+ | 351.41 грн |
| 800+ | 313.06 грн |
| 2400+ | 312.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGOT65R035D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A, Power Dissipation (Max): 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA, Supplier Device Package: PG-DSO-20-91, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V.
Інші пропозиції IGOT65R035D2AUMA1 за ціною від 380.86 грн до 744.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGOT65R035D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A Power Dissipation (Max): 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-91 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IGOT65R035D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 44A 20BFSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 13A Power Dissipation (Max): 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 4.2mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-91 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 3 V |
товару немає в наявності |