
на замовлення 800 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 872.10 грн |
10+ | 694.61 грн |
25+ | 562.28 грн |
50+ | 537.39 грн |
100+ | 515.42 грн |
250+ | 489.80 грн |
500+ | 467.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: IGOT65R045D2AUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Power Dissipation (Max): 109W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA, Supplier Device Package: PG-DSO-20-91, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGOT65R045D2AUMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGOT65R045D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Power Dissipation (Max): 109W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-91 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IGOT65R045D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Power Dissipation (Max): 109W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-91 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |