IGOT65R045D2AUMA1

IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies


Infineon_IGOT65R045D2_DataSheet_v01_00_EN-3518098.pdf Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs
на замовлення 800 шт:

термін постачання 147-156 дні (днів)
Кількість Ціна
1+872.10 грн
10+694.61 грн
25+562.28 грн
50+537.39 грн
100+515.42 грн
250+489.80 грн
500+467.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGOT65R045D2AUMA1 Infineon Technologies

Description: IGOT65R045D2AUMA1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Power Dissipation (Max): 109W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA, Supplier Device Package: PG-DSO-20-91, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V.

Інші пропозиції IGOT65R045D2AUMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGOT65R045D2AUMA1 IGOT65R045D2AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGOT65R045D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57b4b50301 Description: IGOT65R045D2AUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R045D2AUMA1 IGOT65R045D2AUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IGOT65R045D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018f0a57b4b50301 Description: IGOT65R045D2AUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.