Продукція > INFINEON > IGOT65R055D2AUMA1
IGOT65R055D2AUMA1

IGOT65R055D2AUMA1 INFINEON

4421070.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+360.99 грн
100+274.65 грн
500+235.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGOT65R055D2AUMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 4.7nC, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 20Pin(s), Produktpalette: CoolGaN G5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IGOT65R055D2AUMA1 за ціною від 176.91 грн до 559.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies infineonigot65r055d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.67 грн
10+332.47 грн
25+330.30 грн
100+279.95 грн
250+258.71 грн
500+247.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies infineonigot65r055d2datasheetv0100en.pdf Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+373.67 грн
43+330.30 грн
100+279.95 грн
250+258.71 грн
500+247.87 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies infineon-igot65r055d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.72 грн
10+326.73 грн
100+237.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IGOT65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.34 грн
10+333.14 грн
100+219.20 грн
500+176.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 IGOT65R055D2AUMA1 INFINEON 4421070.pdf Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.98 грн
10+360.99 грн
100+274.65 грн
500+235.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 infineonigot65r055d2datasheetv0100en.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+373.67 грн
10+332.47 грн
25+330.30 грн
100+279.95 грн
250+258.71 грн
500+247.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 infineonigot65r055d2datasheetv0100en.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Enhancement-Mode Power GaN Transistor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
38+373.67 грн
43+330.30 грн
100+279.95 грн
250+258.71 грн
500+247.87 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 infineon-igot65r055d2-datasheet-en.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-DSO-20-91
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+502.72 грн
10+326.73 грн
100+237.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 Infineon_IGOT65R055D2_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs HV GAN DISCRETES
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+521.34 грн
10+333.14 грн
100+219.20 грн
500+176.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT65R055D2AUMA1 4421070.pdf
IGOT65R055D2AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.7nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+559.98 грн
10+360.99 грн
100+274.65 грн
500+235.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.