| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 481.11 грн |
| 10+ | 347.08 грн |
| 100+ | 244.09 грн |
| 500+ | 216.97 грн |
| 800+ | 185.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGOT65R055D2AUMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-DSO-20-91, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGOT65R055D2AUMA1 за ціною від 234.29 грн до 683.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IGOT65R055D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-91 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V |
на замовлення 655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IGOT65R055D2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.7nC Anzahl der Pins: 20Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IGOT65R055D2AUMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IGOT65R055D2AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 28 A, 0.066 ohm, 4.7 nC, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 4.7nC Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: CoolGaN G5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.066ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IGOT65R055D2AUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GANFET N-CH 650V 28A 20BFSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 7.9A Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-DSO-20-91 Vgs (Max): -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |