IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


IGP10N60T-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 18A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.35 грн
10+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 110W, Case: TO220-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 18A, Collector-emitter voltage: 600V.

Інші пропозиції IGP10N60TXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGP10N60T IGP10N60T Infineon Technologies Infineon-IGP10N60T-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60T Infineon-IGP10N60T-DS-v02_05-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.