
IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 71.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.
Інші пропозиції IGP10N60TXKSA1 за ціною від 28.05 грн до 139.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: NPT, Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns Switching Energy: 430µJ Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 110 W |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 18A Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 24A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IGP10N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |