IGP10N60TXKSA1

IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies


42992121471994344igp10n60trev2_3g5b15d.pdffileiddb3a30432313ff5e0123b847bd617897.p.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: NPT, Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns, Switching Energy: 430µJ, Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 62 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A, Power - Max: 110 W.

Інші пропозиції IGP10N60TXKSA1 за ціною від 29.63 грн до 144.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+109.29 грн
10+77.36 грн
50+73.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Виробник : Infineon Technologies IGP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b847bd617897 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 42992121471994344igp10n60trev2_3g5b15d.pdffileiddb3a30432313ff5e0123b847bd617897.p.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+127.87 грн
109+116.05 грн
134+94.77 грн
200+85.49 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.15 грн
10+96.40 грн
50+87.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IGP10N60T_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.16 грн
10+63.27 грн
100+49.11 грн
500+40.81 грн
1000+35.70 грн
2500+32.50 грн
5000+29.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0001300260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGP10N60TXKSA1 - IGBT, 24 A, 1.5 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+144.23 грн
14+68.80 грн
100+61.45 грн
500+47.42 грн
1000+38.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 42992121471994344igp10n60trev2_3g5b15d.pdffileiddb3a30432313ff5e0123b847bd617897.p.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 42992121471994344igp10n60trev2_3g5b15d.pdffileiddb3a30432313ff5e0123b847bd617897.p.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 42992121471994344igp10n60trev2_3g5b15d.pdffileiddb3a30432313ff5e0123b847bd617897.p.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.