IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 600V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns, Switching Energy: 450µJ (on), 240µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 170 W.
Інші пропозиції IGP20N60H3XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGP20N60H3 | Infineon Technologies |
IGBTs IGBT 600V |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IGP20N60H3 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT 600V
IGBTs IGBT 600V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)