на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.34 грн |
| 10+ | 98.75 грн |
| 100+ | 78.53 грн |
| 500+ | 61.87 грн |
| 1000+ | 58.42 грн |
| 5000+ | 56.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGP20N60H3 Infineon Technologies
Description: IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns, Switching Energy: 450µJ (on), 240µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 170 W.
Інші пропозиції IGP20N60H3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGP20N60H3 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: IGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns Switching Energy: 450µJ (on), 240µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 170 W |
товару немає в наявності |