Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IGP30N65F5XKSA1
IGP30N65F5XKSA1

IGP30N65F5XKSA1 Infineon Technologies

infineon-igp30n65f5-ds-v02_02-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+136.11 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGP30N65F5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IGP30N65F5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-220, Dauerkollektorstrom: 55A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IGP30N65F5XKSA1 за ціною від 76.92 грн до 200.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGP30N65F5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4cd88ff6cbf Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Power - Max: 188 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Part Status: Active
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Switching Energy: 280µJ (on), 70µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.12 грн
50+85.45 грн
100+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igp30n65f5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+200.20 грн
84+167.42 грн
100+159.22 грн
200+152.41 грн
500+127.53 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 IGP30N65F5XKSA1 INFINEON Infineon-IGP30N65F5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4cd88ff6cbf Description: INFINEON - IGP30N65F5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 Infineon-IGP30N65F5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4cd88ff6cbf
IGP30N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Power - Max: 188 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Part Status: Active
Gate Charge: 65 nC
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Switching Energy: 280µJ (on), 70µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/170ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.12 грн
50+85.45 грн
100+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 infineon-igp30n65f5-ds-v02_02-en.pdf
IGP30N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188W 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+200.20 грн
84+167.42 грн
100+159.22 грн
200+152.41 грн
500+127.53 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65F5XKSA1 Infineon-IGP30N65F5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4cd88ff6cbf
IGP30N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGP30N65F5XKSA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.