IGP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 5283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 178.38 грн |
| 50+ | 138.38 грн |
| 100+ | 113.85 грн |
| 500+ | 90.41 грн |
| 1000+ | 76.71 грн |
| 2000+ | 72.87 грн |
| 5000+ | 68.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns, Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.
Інші пропозиції IGP30N65H5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 55A 188000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
| IGP30N65H5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
товар відсутній |