IGP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IGP30N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4dca9be6ccd
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns
Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+193.68 грн
50+92.37 грн
100+83.23 грн
500+63.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IGP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO220-3, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/177ns, Switching Energy: 280µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V, Gate Charge: 70 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 55 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 188 W.

Інші пропозиції IGP30N65H5XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IGP30N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGP30N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4dca9be6ccd IGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N65H5XKSA1 Infineon-IGP30N65H5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4dca9be6ccd
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.