
IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 206.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGP50N60TXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 2.6mJ, Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W.
Інші пропозиції IGP50N60TXKSA1 за ціною від 133.98 грн до 497.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 2.6mJ Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IGP50N60TXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 333W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A |
товару немає в наявності |