IGT40R070D1E8220ATMA1 Infineon Technologies
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGT40R070D1E8220ATMA1 Infineon Technologies
Description: GAN N-CH 400V 31A HSOF-8-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Part Status: Obsolete, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V.
Інші пропозиції IGT40R070D1E8220ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans JFET N-CH 400V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: GAN N-CH 400V 31A HSOF-8-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 382 pF @ 320 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT GAN HV |
товару немає в наявності |