Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IGT60R070D1ATMA1 Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc), Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA, Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3, Part Status: Obsolete, Vgs (Max): -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V.
Інші пропозиції IGT60R070D1ATMA1 за ціною від 1207.38 грн до 1551.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IGT60R070D1ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
на замовлення 1741 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IGT60R070D1ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
Trans JFET N-CH 600V 31A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 1741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1551.94 грн |
| 10+ | 1528.21 грн |
| 25+ | 1504.48 грн |
| 100+ | 1426.95 грн |
| 250+ | 1300.06 грн |
| 500+ | 1227.72 грн |
| 1000+ | 1207.38 грн |